BT40T60 транзистор силовой IGBT BT40T60ANF TO-3P 40A 80A 600V

BT40T60 транзистор силовой IGBT BT40T60ANF TO-3P

Описание и характеристики

Артикул:  TRN096
Маркировка:  BT40T60
Партномер:   BT40T60ANF
Структура транзистора: IGBT
Макс. напряжение коллектор-эмиттер :  600 В
Макс. допустимое напряжение на затворе:   ±20 В
Пороговое напряжение затвора:   4.....7 В
Макс. ток коллектора при Т=25^оС:   80 А
Макс. ток коллектора при Т=100^оС:   40 А
Пиковый ток коллектора в импульсе при Т=25^оС:   120 А
Прямой ток встроенного диода Т=100^оС:    20А
Пиковый прямой ток встроенного диода   100А
Диапазон температур эксплуатации и хранения:   -55.....150 ^оС
Рассеиваемая мощность при TC = 25°C:     280 Вт
Рассеиваемая мощность при TC = 100 °C:    110 Вт
Тип корпуса: TO-3P

Назначение выводов BT40T60ANF