MBQ50T65FESC Транзистор IGBT 650 В, 50A/100A 50T65FESC TO-247 50T65 Magnachip

Транзисторы

Артикул: TRN104
В наличии: 10 шт.
Вес: 0.010 кг.

TO-247, Magnachip, 50T65FDSC, IGBT, 50T65FESC, 50T65, 650 В, 50a, транзистор, 100A, 650V, Ключ, MBQ50T65FESC

Рейтинг: 5.0/1

Колличество:

В Корзину

Купить сейчас

380.00руб.

MBQ50T65FESC Транзистор IGBT 650В 50A/100A 50T65FESC
TO-247 50T65 Magnachip

Описание и характеристики  50T65

Артикул: TRN104
Полное название транзистора: MBQ50T65FESC
Структура:  N-Channel IGBT
Маркировка на корпусе: 50T65FESC
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650В
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер: ±20В
Максимальный ток коллектора в откр.состоянии при t=25^оС 100А
Максимальный ток коллектора в откр.состоянии при t=100^оС 50А
Встроенный диод: присутствует
Максимальный прямой ток диода: при Tс=25°C 60А , при Tс=100°C 30А
Макс. мощность рассеивания на коллекторе  при t=25^оС 375 Вт
Макс. мощность рассеивания на коллекторе  при t=100^оС 188 Вт
Критическая температура перехода: 175 ^оС
Тип корпуса:  TO-247