MBQ50T65FESC Транзистор IGBT 650 В, 50A/100A 50T65FESC TO-247 50T65 Magnachip

MBQ50T65FESC Транзистор IGBT 650В 50A/100A  50T65FESC
TO-247 50T65 Magnachip

Описание и характеристики  50T65 

Артикул:    TRN104
Полное название транзистора:    MBQ50T65FESC
Структура:  N-Channel IGBT
Маркировка на корпусе:     50T65FESC
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:     650В
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер:     ±20В
Максимальный ток коллектора в откр.состоянии при t=25^оС     100А
Максимальный ток коллектора в откр.состоянии при t=100^оС     50А
Встроенный диод:    присутствует
Максимальный прямой ток диода: при Tс=25°C   60А ,  при Tс=100°C   30А
Макс. мощность рассеивания на коллекторе  при t=25^оС   375 Вт
Макс. мощность рассеивания на коллекторе  при t=100^оС   188 Вт
Критическая температура перехода:   175 ^оС
Тип корпуса:  TO-247

Назначение выводов MBQ50T65FESC