SGT50T65FD1PN Транзистор IGBT 650V 50A/100A 50T65FD1 TO-3P 50T65
Описание и характеристики 50T65
Артикул: TRN105
Полное название транзистора: SGT50T65FD1PN
Структура: N-Channel IGBT
Маркировка на корпусе: 50T65FD1
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650В
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер: ±20В
Максимальный ток коллектора в откр.состоянии при t=25оС : 100А
Максимальный ток коллектора в откр.состоянии при t=100оС : 50А
Ток коллектора в импульсе: 150 А
Встроенный диод: присутствует
Максимальный прямой ток диода: 25А
Макс. мощность рассеивания на коллекторе при t=25оС 235 Вт
Тип корпуса: TO-3P
Расположение выводов транзистора SGT50T65FD1PN
Datasheet SGT50T65FD1PN | |
PDF 510.75 Kb |
|
||
-Электронные компоненты |
||