Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N-channel
Наименование прибора: OSD7N65
Маркировка на корпусе: OSEN7N65D
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd при 25°C): 38W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 650V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): ±30V
Пороговое напряжение включения : 2....4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока при 25°C: 7A
Импульсный ток стока (IDM): 28A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Тип корпуса: TO-252
![]() |
Datasheet OSD7N65 |
PDF 253.26 Kb |
|
||
-Электронные компоненты |
||
![]() |