Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N-channel
Наименование прибора: OSD50N06T
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd при 25°C): 72W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): ±20V
Пороговое напряжение включения : 2....4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока при 25°C: 50A
Максимально допустимый постоянный ток стока при 100°C: 31A
Импульсный ток стока (IDM): 200A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Аналоги: 50N06, FQD50N06, UMW50N06, SVD50N06D, SQD50N06, REP50N06, AP50N06D и др.
Тип корпуса: TO-252
|
||
-Электронные компоненты |
||
![]() |