Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N-channel
Наименование прибора: WMB56N04T1
Маркировка на корпусе: B56N04
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd при 25°C): 35.7W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): ±20V
Пороговое напряжение включения : 1.1....2.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока при 25°C: 56A
Максимально допустимый постоянный ток стока при 100°C: 33A
Импульсный ток стока (IDM): 202A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Тип корпуса: PDFN5060-8L (PDFN8L5X6 )
![]() |
Datasheet WMB56N04T1 |
|
||
-Электронные компоненты |
||
![]() |