FGA25N120 FGA25N120ANTD Транзистор IGBT 1200В 25А N-канал встроенный диод, купить 25N120 TO-3PN

FGA25N120ANTD Транзистор IGBT 1200В 25А встроенный диод,
25N120 TO-3P

Описание и характеристики

Артикул: TRN091
Наименование: FGA25N120ANTD
Маркировка на корпусе:  FGA25N120  ANTD 
Тип транзистора:  IGBT со встроенным диодом
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce):  1200 В (1.2кВ)
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat):  2 В
Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)):  3.5......7.5 В
Постоянный ток коллектора при  100С^о  (Ic):  25 A
Постоянный ток коллектора при  25С^о  (Ic):  50 A
Пиковый ток обратного восстановления диода   40А
Диапазон рабочей температуры перехода от - 55°C до 150°C
Максимальное рассеивание мощности при 25°C   312 Вт
Встроен быстродействующий диод
Тип корпус: TO-3P