SS8050 Y1 SMD NPN биполярный транзистор SOT-23 8050 TRN019

SS8050 Y1 SMD NPN  биполярный транзистор  SOT-23 8050 

Характеристики транзистора SS8050

• Наименование  SS8050
• Маркировка на корпусе  Marking  Y1
• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 40 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
• Ток коллектора, не более: 1.5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.3 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 85 до 300
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц
• Корпус: SOT-23

Артикул: TRN019

Комплементарной парой для SS8050 является транзистор SS8550 c p-n-p структурой.

Транзисторы SS8050 нельзя путать с S8050 так как  у последних  в три раза  ниже допустимый ток , этим  параметром нельзя пренебрегать .

	Datasheet  SS8050
	PDF  162.83 Kb