Корзина пуста

FGH40N60SFD Транзистор 600 В, 40 А IGBT TO-247

Рейтинг: 0.0/0
Колличество:

300.00руб.

FGH40N60SFD Транзистор  600 В, 40 А IGBT  TO-247

Внимание - у нас продаются оригинальные  проверенные FGH40N60SFD, корпуса как на фото не затертые не перебитые , ножки все чистые не напаянные,  мы постоянно используем эти транзисторы в своей мастерской . Помните !!! - оригинальные мощные  IGBT транзисторы  не могут стоить дёшево !  Остерегайтесь подделок - рынок заполнен дешевыми перемаркированными MOSFET в IGBT, на таких транзисторах сварочный инвертор как правило сгорает на  1-3 электроде  непрерывной сварки. В нашей мастерской было перепробовано и просто выброшено огромное количество  поддельных  FGH40N60,  пока не вышли на надежного поставщика.

 

IGBT FGH40N60SFD имеет структуру, подходящую для токов большой силы. Транзистор обладает высоким входным импедансом, аналогичным МОП транзисторам, и может управляться напряжением как обычный полевой транзистор,  подходит для применения при высоком напряжении и токах большой силы, чаще всего встречаются в бытовых сварочных аппаратах.

Транзисторы FGH40N60SFD характеризуются быстрым переключением, поэтому идеально подходят для управления силовыми устройствами, они находят применение в источниках бесперебойного питания (ИБП), блоках управления электродвигателями, индукционных варочных панелях, сварочных аппаратах и т. д.

Транзистор для сварочного аппарата

Характеристики транзистора FGH40N60SFD

  • Наименование: FGH40N60SFD, FGH40N60, 40N60, 40N60SFD, H40N60, FGH40N60SFDTU
  • Тип корпуса: TO-247
  • Напряжение коллектор - эмиттер (VCES) - 600 V;
  • Напряжение затвор - эмиттер (VGES) - ± 20 V;
  • Ток коллектора (IC) при TC = 25oC - 80 A;
  • Ток коллектора (IC) при TC = 100oC - 40 A;
  • Импульсный коллекторный ток (ICM) при TC = 25oC - 120 A;
  • Максимальная рассеиваемая мощность (PD) при TC = 25oC - 290 W;
  • Максимальная рассеиваемая мощность (PD) при TC = 100oC - 116 W;
  • Рабочая температура перехода - -55 to +150 oC;
  • Напряжение насыщения коллектор - эмиттер (VCE(sat)) при IC = 40A, VGE = 15V - 2.3 V;
  • Входная емкость (Cies) при VCE = 30V, VGE = 0V, f = 1MHz - 2110 pF;
  • Время задержки включения (td(on)) при VCC = 400V, IC = 40A, RG = 10Ω, VGE = 15V, Индуктивная нагрузка, TC = 25oC - 25 ns;
  • Время нарастания (tr) при VCC = 400V, IC = 40A, RG = 10Ω, VGE = 15V, Индуктивная нагрузка, TC = 25oC - 42 ns;
  • Время задержки выключения (td(off)) при VCC = 400V, IC = 40A, RG = 10Ω, VGE = 15V, Индуктивная нагрузка, TC = 25oC - 115 ns;
  • Время спада (tf) при VCC = 400V, IC = 40A, RG = 10Ω, VGE = 15V, Индуктивная нагрузка, TC = 25oC - 27 ns;


 

Datasheet, FGH40N60SFDTU . 

 PDF   806.22 КБ

 

 

 

 

Добавил: UR5MSO, Вторник, 17.10.2017
Мы ВКонтакте
Категории раздела
Электронные компоненты (388)
Измерительные приборы и инструмент (22)
Модули (59)
Авто товары (5)
Корпусные и установочные изделия (12)
ЗЧ для телефонов/ планшетов (2)
Поиск
Вход на сайт
Статистика

Онлайн всего: 1
Гостей: 1
Пользователей: 0