GT50JR22 Транзистор IGBT 600 В, 50 А TOSHIBA 50JR22 TO-3P(N) TRN071

Транзисторы

Артикул: TRN071
В наличии: 137 шт.
Вес: 0.020 кг.

TOSHIBA 50JR22, Транзистор IGBT, TO-3PN, GT50JR22

Рейтинг: 4.8/8

Колличество:

В Корзину

Купить сейчас

195.00руб. ~~260.00руб.~~

GT50JR22 Транзистор IGBT 600 В, 50 А 50JR22 TO-3P(N)

Описание и характеристики GT50JR22

Артикул: TRN071
Полное название транзистора: GT50JR22
Структура:  N-Channel IGBT
Маркировка на корпусе: 50JR22
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600В
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер: ±25В
Максимальный ток коллектора в откр.состоянии при t=25^оС 50А
Максимальный ток коллектора в откр.состоянии при t=100^оС 44А
Встроенный диод: присутствует
Максимальный прямой ток диода: 40А
Макс. мощность рассеивания на коллекторе  при t=25^оС 230 Вт
Макс. мощность рассеивания на коллекторе  при t=100^оС 115 Вт
Критическая температура перехода: 175 ^оС
Тип корпуса:  TO-3P(N)