GT50JR22 Транзистор IGBT 600 В, 50 А TOSHIBA 50JR22 TO-3P(N) TRN071

GT50JR22 Транзистор IGBT  600 В, 50 А 50JR22 TO-3P(N)

Описание и характеристики GT50JR22

Артикул: TRN071
Полное название транзистора: GT50JR22
Структура:  N-Channel IGBT
Маркировка на корпусе:  50JR22
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:  600В
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер:   ±25В
Максимальный ток коллектора в откр.состоянии при t=25^оС    50А
Максимальный ток коллектора в откр.состоянии при t=100^оС   44А
Встроенный диод:    присутствует
Максимальный прямой ток диода:   40А
Макс. мощность рассеивания на коллекторе  при t=25^оС   230 Вт
Макс. мощность рассеивания на коллекторе  при t=100^оС   115 Вт
Критическая температура перехода:   175 ^оС
Тип корпуса:  TO-3P(N)

Назначение выводов GT50JR22

	Datasheet  TOSHIBA  GT50JR22
	PDF   201.59 Kb